|
<![CDATA[<u id="dhjjk"></u>]]>|
<![CDATA[<label id="dhjjk"><dl id="dhjjk"><td id="dhjjk"></td></dl></label>]]>
| | |
| | |
|
電子陶瓷基板的由來及應用
中國科學院上海硅酸鹽研究所（SICAS）11月9日在上海舉行了關于電子陶瓷材料發展的歷史及由來的座談會，內容豐富，主題新穎、前沿，引起了在座人員熱烈的討論。教授表示國外公司已經研發出了新型氮化硅陶瓷基板（Si3N4），它的抗彎強度、斷裂韌性都可以達到氮化鋁的2倍以上，其陶瓷片的導熱系數已經高到180W/m-k，具備較低的介電常數和介質損耗，可靠的絕緣性能，優良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，且氮化鋁與的熱阻相接近。
IGBT模塊是各種逆變電源的心臟，在新能源汽車、大功率工程機械、智能家居、軌道交通、通訊設備、軍工航天等領域應用廣泛，而高強度、高導熱的氮化鋁基板IGBTM模板的關鍵性材料之一。
在全球半導體技術朝著更大功率、電流、功率的方向發展，對于基片材料的要求也是越來越苛刻，而氮化硅陶瓷基片是集高導熱率，高強度于一身的綜合性能的優秀基板材料，氮化硅陶瓷基板必將是未來半導體器件陶瓷基片的發展趨勢，為第三代半導體的發展提供堅實的基礎。
English
18926062175
