氮化鋁陶瓷片(AIN)是新型功能電子陶瓷材料,是以氮化鋁粉作為原料,采用流延工藝,經高溫燒結而制成的陶瓷基片,具有氮化鋁材料的各種優異特性,符合封裝電子基片應具備的性質,是高密度,大功率,多芯片組件等半導體器件和大功率,高亮度的LED基板及封裝材料的關鍵材料,被認為是理想的基板材料,廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業。
氮化鋁陶瓷基板的性能特點:
1、熱導率高,是氧化鋁的5-10倍。
2、熱膨脹系數(2.80x10°6)、導熱系數>170-190w/m-k
3、機械性能好,抗彎強度高,接近氧化鋁。
4、電學性能優良,具有極高的絕緣電阻和低的介質損耗。
5、電路材料的相容性好,可以進行多層布線,實現封裝的高密度和小型化。
6、無毒、環保。
氮化鋁陶瓷散熱片產品處理形式:
1、可根據客戶需求做表面金屬化鍍金、鍍銀、鍍銅等金屬,其導熱效果更好。
2、常規類陶瓷產品可做拋光處理(可進行單、雙面拋光),拋光之后的表面光潔度為Ra:0.02-0.05μm,無孔洞現象。
3、其他處理方式可依客戶的圖紙要求加工。
氮化鋁陶瓷產品加工形式:
1、開模具加工:除激光加工外的產品都需要開模具加工。
2、激光加工產品:根據客戶要求,采用激光產品(氮化鋁、氧化鋁、氧化鋯等)進行劃線、打孔及開糟加工,激光打孔至小孔徑0.05mm,激光切割厚度2mm以下,其產品加工精度高,重復性好。
氮化鋁陶瓷產品應用領域:
混合集成電路互連基板,微波器材,光電通信,傳感器,MCM等領域,包括電器件基板,陶瓷載體,激光器載體,片式電容,片式功率分配器,傳感器等
測試項目(單位) |
數值 |
材質 |
AIN |
體積密度 (g/cm3) |
3.35 |
抗熱震性? |
無裂痕,炸裂 |
化學穩定性 (mg/cm3) |
0.97 |
擊穿電壓強度 (kv/mm) |
18.45 |
介電常數 1MHz |
8.56 |
產品顏色 |
暗灰色 |
體積電阻(Ω.cm) |
1.4×1014 |
抗彎曲強度 (Mpa) |
382.7 |
熱膨脹系數 (/℃5℃/min.20~300℃) |
2.805×10°6 |
粗糙度Ra(μ m) |
0.3~0.5 |
導熱系數(w/m.k) |
>170-190 |
翹曲度(length%.) |
≦0.2% |